《职高二极管教学设计》-优秀范文-写作素材-范文大全-范文网

标题

职高二极管教学设计

范文

职高二极管教学设计范文

篇一：二极管说课稿

一、说教材

我说课的内容是高等教育出版社出版的，由张龙兴主编的教材《电子技术基础》(第二版)中第一章第一节《半导体二极管》。本节是本章的重点，也是整本书的基础，打好基础很重要，就如盖房子，地基扎实，才能建起高楼大厦。这一节讲的基本概念比较多，比如半导体、空穴、载流子、N型半导体、P型半导体、PN结等等。因为构成物质的微观粒子看不见、摸不着，PN结的形成过程全靠想象，所以学生感到太抽象，不好接受，所以我考虑到用实验演示和多媒体动画演示来授课，以期达到良好的教学效果。

二、说教学目标及重难点

教学目标：

知识目标：

1、理解PN结的单向导电特性

2、掌握半导体二极管分类和基本结构，会识别二极管的型号

3、掌握半导体二极管正向特性和反向特性

技能目标：

正确使用万用表检测半导体二极管的极性、二极管的质量

情感目标：

注意理论联系实际，加强应用，注意培养学生的自学能力，开拓思路，激发学生的专业学习兴趣。

重点：

PN结的单向导电性和二极管的特性理解；

难点：

PN结是怎样形成的。

三、说学情

我们面对的是刚刚初中毕业来到中职学校的学生，他们大多基础薄弱，自学能力较差，是我们所说的学困生，他们面对这样一门全新的课程，可以说是困难重重，所以我在上这节课时特别注意到学生的这些特点，以实验为基础来引发学生的学习兴趣和学习热情。

四、说教法

讲授法、分组实验法

五、说实验器材

各种半导体二极管实物（发光二极管、整流二极管、大功率二极管、稳压二极管），MF47万用表10块，硅整流二极管1N4007 10只，锗二极管10只，试验板一块、3伏的直流电源一块

六、说课时：

2课时

七、说教学过程

第一课时

（一）、引入新课（5min）教师举例说明在日常生活中经常看到很多电器，如：电视机、计算机、音箱，DVD等。这些电器都是由各种各样的电子元件组成的。其中有一种非常重要的元件-------半导体二极管，这就是今天我们要学习的内容，板书：（1—1 半导体二极管）

引出问题：“什么是晶体二极管？”（让学生观察手中的二极管，

感性认识二极管）

教师给出二极管的概念：一个PN结加上两个引出线和管壳就构成一个二极管。

那什么是PN结呢？

（二）、新课讲解

1、PN结（30分钟，其中讲解大约15--20min，学生分组测量大约10min）

（1）、介绍半导体二极管的定义由此引出半导体二极管材料——半导体的概念。（半导体：常温下，导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，如：硅、锗等，它的导电性能可受控制，在半导体中掺入杂质或改变光照、温度可改变其导电性能。）

（2）、讲解P型和N型半导体材料的形成

（3）、PN结的概念（将P型半导体和N型半导体经过特殊的加工工艺紧密结合在一起）

（4）、PN结的单向导电特性：用演示实验总结解释PN结的单向导电特性。

用发光二极管演示实验验证PN结的单向导电性，加深学生对PN结单向导电性的理解。同时让学生看看老师制作的课件，感受知识的实用性，激发学生的学习热情。

2、二极管的分类、结构（10min）

（1）、二极管的结构示意图及符号:

（2）、二极管的分类

篇二：完整电力电子技术教案

课题：

绪论第一章第一节电力二极管

课时：

2课时

教学目标：

1、了解什么是电力电子技术

2、电力二极管的结构与伏安特性

3、掌握掌握电力二极管的主要参数和使用

重点、难点：

电力二极管的伏安特性和主要参数

教具：

教材粉笔

教学方法：

讲授法

时间分配：

新授 80分钟小结 15分钟作业布置 5分钟

教学过程：

绪论

相关知识

一、结构与伏安特性

1、结构

电力二极管的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都是以半导体PN结为基础的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，图1-2示出了电力二极管的外形、结构和电气图形符号。从外形上看，电力二极管主要有螺性型和平板型两种封装。

2、伏安特性

电力二极管的静态特性主要是指其伏安特性，如图所示。当电力二极管承受的正向电压大到一定值(门槛电压)，正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。当电力二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。

二、主要参数

1、正向平均电流IF

指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度(简称壳温，用Tc表示)和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

2.正向压降UF

指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。有时候，其参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时电力二极管的最大瞬时正向压降。

3.反向重复峰值电压Urrm

指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是其雪崩击穿电压Ub的2/3。使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定此项参数。

4、最高工作结温TJM

结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度，用TJM表示。TJM通常在125一175℃范围之内。

5、反向恢复时间t

6.浪涌电流IFSM

指电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

三、电力二极管的参数选择及使用注意事项

1、参数选择

1）额定正向平均电流IF的选择原则

2）额定电压Urrm的选择原则

2、电力二极管使用注意事项

四、电力二极管的主要类型

1.普通二极管

普通二极管(General Purpose Diode)又称整流二极管( Rectifier Diade}，多用于开关频率不高（1 kHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长，一般在5微秒以上，这在开关频率不高时并不重要，在参数表中甚至不列出这一参数。但其正向电流定额和反向电压定额却可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。

2.快恢复二极管

恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短〔一般在5微秒以下)的二极管被称为快恢复二极管(Fast Recovery Diade-FRD)，简称快速二极管。工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结型结构，也有的采用对此加以改进的PiIV结构。特别是采用外延型PiN结构的所谓的快恢复外延二极管}（Fast Recaery Epitaxial Diode--FRED)，其反向恢复时间更短(可低于50ns)，正向压降也很低(0.9V左右)，但其反向耐压多在1200 V以下。不管是什么结构，快恢复二极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20---30ns。

3，肖特基二极管

以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管( Schottky Bar-rier L3iad---SBD} ,简称为肖特基二极管。肖特基二极管在信息电子电路中早就得到了应用，但直到20世纪80年代以来，由于工艺的发展才得以在电力电子电路中广泛应用。与以PIU结为基础的电力二极管相比，肖特基二极管的优点在于:反向恢复时间很短( 10 ---40ns，正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。肖特基二极管的弱点在于:当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。

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