个人资料

姓    名：xxx

性    别：男

(可以贴照片)

出生日期：1982年3月1日

学    历：大专

毕业院校：兰州大学

专    业：半导体器件与微电子

工作经验：三年以上

职    称：助理工程师

申请职位：薄膜工艺工程师  研发工程师

联系方式：

15900000000  (手机)

www.geren-jianli.org(邮件 & MSN)

 求职意向

求职意向： 薄膜工艺工程师 研发工程师

求职地点： 无锡 南京 苏州

工作经验：三年以上

工资要求：3500以上

工作性质：全职

 教育培训

2000.9--2004.7兰州大学   半导体器件与微电子学   本科

2000年9月至2004年7月 就读于兰州大学物理与科学技术学院微电子学专业

2006.5--2006.7 培训单位： 天合半导体公司 培训内容：iso9001认证

200.4—2005--6 培训单位：核芯电子公司    培训内容：5s现场管理

 工作经验

2004年07月— 2007年03月 ： 天水天光半导体公司(原国营八七一厂)

【单位性质】：合资

【所任职位】： 工程部/工艺工程师

【职责描述】：2004年07月－－2007年4月担任天水天光半导体有限公司（国营八七一厂）工艺工程师兼新产品工艺设计工程师.主要负责varian3180、3120溅射台，mark50蒸发台，varian3125蒸发台，ebx2000蒸发台等的.工艺改进及保障工作和新产品的开发和工艺、版图设计，并熟练掌握肖特基生产线薄膜制备工艺。2006年4月-6月改进了varian3180溅射台溅射工艺，使该企业肖特基产品成品率提高了9.6个百分点，目前该设备已生产肖特基产品40000多片，并保持稳定运行。2006年8月-10月改进了肖特基产品合金工艺，提高了芯片均匀性。

 项目经验

2005.11—2006.3:开发低速（50-100 ns）和高速（小于10 ns）开关二极管

项目描述：开发了低速（50-100 ns）和高速（小于10 ns）开关二极管，经日本专家鉴定，比日本tikoen公司相同产品正向电压还要低0.3v，目前已为天水天光半导体公司获利100多万元。

200.5--2005.10:开发大电流高电压肖特基二极管

项目描述：开发了大电流、高电压肖特基5a150v、200v，10a150v、200v产品，填补了该企业在大电流产品方面的空白。

责任描述：负责项目请示，提交项目建议书，项目可行性分析和项目前期调研，撰写项目可行性报告和调研报告；制定项目实施方案，填写项目申报书并负责项目申报工作。负责与企业客户的沟通，了解并分析客户需求，制定项目合作方案；并根据项目需求，组建项目团队和项目技术主要负责人.并负责与日本专家的技术交流与沟通．

2005.10—2006.5:开发了稳压二极管、光敏晶体管、led等产品

项目描述：参与开发了稳压二极管、光敏晶体管、led等产品，扭转了该企业产品单一化的局面。

责任描述：负责上述产品的金属薄膜制备，产品测试及工艺设计．

 技能特长

熟练掌握varian3180、3120溅射台，mark50蒸发台，varian3125蒸发台，ebx2000蒸发台等的设备运行状态和工艺参数，并熟练掌握肖特基生产线扩散、光刻腐蚀、金属化等工艺。

熟悉新产品开发流程及工艺设计。

专业软件： l-edit

 自我评价

乐观向上、兴趣广泛、稳重沉着、适应力强、勤奋好学、脚踏实地、认真负责、坚忍不拔、勇于迎接新挑战、具有较强的团队合作精神。