标题 | 实验报告芯片解剖实验报告 |
范文 | 实验报告芯片解剖实验报告 课程名称:芯片解剖实验 学 号: 姓 名: 教 师: 年6月28日 实验一 去塑胶芯片的封装 实验时间: 同组人员: 一、实验目的 1.了解集成电路封装知识,集成电路封装类型。 2.了解集成电路工艺流程。 3.掌握化学去封装的方法。 二、实验仪器设备 1:烧杯,镊子,电炉。 2:发烟硝酸,弄硫酸,芯片。 3:超纯水等其他设备。 三、实验原理和内容 实验原理: 1..传统封装:塑料封装、陶瓷封装 (1)塑料封装(环氧树脂聚合物) 双列直插 DIP、单列直插 SIP、双列表面安装式封装 SOP、四边形扁平封装 QFP 具有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装 SOJ (2)陶瓷封装 具有气密性好,高可靠性或者大功率 A.耐熔陶瓷(三氧化二铝和适当玻璃浆料):针栅阵列 PGA、陶瓷扁平封装 FPG B.薄层陶瓷:无引线陶瓷封装 LCCC 2..集成电路工艺 (1)标准双极性工艺 (2)CMOS工艺 (3)BiCMOS工艺 3.去封装 1.陶瓷封装 一般用刀片划开。 2. 塑料封装 化学方法腐蚀,沸煮。 (1)发烟硝酸 煮(小火) 20~30分钟 (2)浓硫酸 沸煮 30~50分钟 实验内容: 四、实验步骤 1.打开抽风柜电源,打开抽风柜。 2.将要去封装的芯片(去掉引脚)放入有柄石英烧杯中。 3.带上塑胶手套,在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。(操作时一定注意安全) 4.将石英烧杯放到电炉上加热,记录加热时间。(注意:火不要太大) 5.观察烧杯中的变化,并做好记录。 6.取出去封装的芯片并清洗芯片,在显微镜下观察腐蚀效果。 7.等完成腐蚀后,对废液进行处理。 五、实验数据 1:开始放入芯片,煮大约2分钟,发烟硝酸即与塑胶封转起反应, 此时溶液颜色开始变黑。 2:继续煮芯片,发现塑胶封装开始大量溶解,溶液颜色变浑浊。 3:大约二十五分钟,芯片塑胶部分已经基本去除。 4:取下烧杯,看到闪亮的芯片伴有反光,此时芯片塑胶已经基本去除。 六、结果及分析 1:加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除,因为此时如果不去除,它会与酸反应,消耗酸液。 2:在芯片去塑胶封装的时候,加热一定要小火加热,因为发烟盐酸是易挥发物质,如果采用大火加热,其中的酸累物质变会分解挥发,引起容易浓度变低,进而可能照成芯片去封装不完全,或者去封装速度较慢的情况。 3:通过实验,了解了去塑胶封装的基本方法,和去封装的一般步骤。 实验二 金属层芯片拍照 实验时间: 同组人员: 一、实验目的 1.学习芯片拍照的方法。 2.掌握拍照主要操作。 3. 能够正确使用显微镜和电动平台 二、实验仪器设备 1:去封装后的芯片 2:芯片图像采集电子显微镜和电动平台 3:实验用PC,和图像采集软件。 三、实验原理和内容 1:实验原理 根据芯片工艺尺寸,选择适当的放大倍数,用带CCD摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片,注意拍照时的清晰度。2:实验内容 采集去封装后金属层照片。 四、实验步骤 1.打开拍照电脑、显微镜、电动平台。 2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转到底(即载物台最低),小心取下载物台四英寸硅片平方在桌上,用塑料镊子小心翼翼的将裸片放到硅片靠中心的位置上,将硅片放到载物台。 3.小心移动硅片尽量将芯片平整。 4.打开拍照软件,建立新拍照任务,选择适当倍数,并调整到显示图像。(此处选择20倍物镜,即拍200倍照片) 5.将显微镜物镜旋转到最低倍5X,慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升,直到有模糊图像,这时需要小心调整载物台位置,直至看到图像最清晰。 6.观察图像,将芯片调平(方法认真听取指导老师讲解)。 10.观测整体效果,观察是否有严重错位现象。如果有严重错位,要进行重拍。 11.保存图像,关闭拍照工程。 12.将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即: 5X)。 13.逆时针旋转粗调焦旋钮,使载物台下降到最低。 14.用手柄调节载物台,到居中位置。 15.关闭显微镜、电动平台和PC机。 五、实验数据 采集后的芯片金属层图片如下: 六、结果及分析 1:实验掌握了芯片金属层拍照的方法,电动平台和电子显微镜的使用,熟悉了图像采集软件的`使用方法。 2:在拍摄金属层图像时,每拍完一行照片要进行检查,因为芯片有余曝光和聚焦的差异,可能会使某些照片不清晰,对后面的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查,对不符合标准的照片进行重新拍照。 3:拍照是要保证芯片全部在采集视野里,根据四点确定一个四边形平面,要确定芯片的四个角在采集视野里,就可以保证整个芯片都在采集视野里。 4:拍照时的倍数选择要与工程分辨率保持一致,过大或过小会引起芯片在整个视野里的分辨率,不能达到合适的效果,所以采用相同的倍数,保证芯片的在视野图像大小合适。 |
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